一种硬掩模保护的硅光波导表面氧化平滑方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117706685 A (43)申请公布日 2024.03.15 (21)申请号 202410166404.1 (22)申请日 2024.02.06 (71)申请人 上海铭锟半导体有限公司 地址 200120 上海市浦东新区中国(上海) 自由贸易试验区临港新片区环湖西二 路888号C楼 (72)发明人 杨荣　余巨峰　余明斌　 (74)专利代理机构 成都九鼎天元知识产权代理 有限公司 51214 专利代理师 罗强 (51)Int.Cl. G02B 6/13 (2006.01) G02B 6/136 (2006.01) G03F 1/48 (2012.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 一种硬掩模保护的硅光波导表面氧化平滑 方法 (57)摘要 本发明提供了一种硬掩模保护的硅光波导 表面氧化平滑方法，包括：步骤1、提供一SOI衬 底，所述SOI衬底包括自下而上的硅衬底、埋氧层 和顶层硅；步骤2、在所述顶层硅表面依次形成第 一氧化硅层和硬掩模层；步骤3、光刻和干法刻蚀 所述顶层硅形成硅光波导；步骤4、在硬掩模层保 护下对硅光波导进行氧化生成第二氧化硅层；步 骤5、依次去除第二氧化硅层、硬掩模层和第一氧 化硅层；步骤6、沉积第三氧化硅层；步骤7、将第 三氧化硅层抛光至表面平整。本发明避免了硅光 波导高度方向上的氧化平滑损耗，解决了硅光波 A 导的边角圆化问题，所采