半导体器件及其形成方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112441551 A (43)申请公布日 2021.03.05 (21)申请号 202010856148.0 B81C 1/00 (2006.01) (22)申请日 2020.08.24 (30)优先权数据 62/892,106 2019.08.27 US 15/930,570 2020.05.13 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力 行六路八号 (72)发明人 邱怡瑄　洪嘉明　彭利群　陈相甫　 (74)专利代理机构 南京正联知识产权代理有限 公司 32243 代理人 顾伯兴 (51)Int.Cl. B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书23页 附图26页 (54)发明名称 半导体器件及其形成方法 (57)摘要 本公开的各种实施例涉及一种半导体器件。 所述半导体器件包括设置在半导体衬底之上的 内连线结构。介电结构设置在内连线结构之上。 多个空腔设置在介电结构中。微机电系统(MEMS) 衬底设置在介电结构之上，其中微机电系统衬底 包括多个可移动薄膜，且其中所述多个可移动薄 膜分别上覆在所述多个空腔之上。多个流体连通 通道设置在所述介电结构中，其中所述多个流体 连通通道中的每一者在所述多个空腔中的两个