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实用新型

一种MEMS红外光源的衬底结构

2023-01-05 07:17:43 发布于四川 4
  • 申请专利号：CN202222813687.3
  • 公开（公告）日：2023-01-03
  • 公开（公告）号：CN218202203U
  • 申请人：微集电科技（苏州）有限公司
摘要：本实用新型涉及红外光源领域，特别是涉及一种MEMS红外光源的衬底结构。该衬底结构为MEMS光源的底部支撑结构，包括衬底、支撑层以及发射层。衬底结构上负载MEMS光源的发光结构。其中，衬底上表面的中央设有向下凹陷的凹坑，凹坑包括一个水平的底面以及呈坡面状的侧壁。凹坑的上口至少完整覆盖上方的红外发射层。反射层完整覆盖在衬底中凹坑的内壁上；反射层用于反射2‑14微米波长的红外线。支撑层覆盖在衬底上表面，支撑层和衬底呈四边固支结构相接，二者之间形成空腔结构。支撑层中设有与下方的衬底中的凹坑连通的牺牲窗口；牺牲窗口与发热电极层相切或相离。本方案可以克服传统MEMS红外光源因底向热传导和红外辐射等造成的光电转换效率不高的问题。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218202203 U (45)授权公告日 2023.01.03 (21)申请号 202222813687.3 (22)申请日 2022.10.25 (73)专利权人 微集电科技（苏州）有限公司 地址 215002 江苏省苏州市中国（江苏）自 由贸易试验区苏州片区苏州金鸡湖大 道99号苏州纳米城中北区23幢214室 (72)发明人 刘军林　吕全江　侯海港　刘桂武　 乔冠军　郝俊操　夏松敏　陈杰　 (74)专利代理机构 合肥市泽信专利代理事务所 (普通合伙) 34144 专利代理师 潘飞 (51)Int.Cl. B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书10页 附图6页 (54)实用新型名称 一种MEMS红外光源的衬底结构 (57)摘要 本实用新型涉及红外光源领域，特别是涉及 一种MEMS红外光源的衬底结构。该衬底结构为 MEMS光源的底部支撑结构，包括衬底、支撑层以 及发射层。衬底结构上负载MEMS光源的发光结 构。其中，衬底上表面的中央设有向下凹陷的凹 坑，凹坑包括一个水平的底面以及呈坡面状的侧 壁。凹坑的上口至少完整覆盖上方的红外发射 层。反射层完整覆盖在衬底中凹坑的内壁上；反 射层用于反射2‑14微米波长的红外线。支撑层覆 盖在衬底上表面，支撑层和衬底呈四边固支结构 相接，二者之间形成空腔结构。支撑层中设有与 下方

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