半导体结构及其形成方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114348955 A (43)申请公布日 2022.04.15 (21)申请号 202111672677.6 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人 中芯集成电路（宁波）有限公司 地址 315800 浙江省宁波市北仑区小港街 道安居路335号3幢、4幢、5幢 (72)发明人 韩凤芹　李萍　桂珞　 (74)专利代理机构 深圳市嘉勤知识产权代理有 限公司 44651 代理人 汤金燕 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图5页 (54)发明名称 半导体结构及其形成方法 (57)摘要 本申请公开一种半导体结构及其形成方法， 其中形成方法包括：提供基底，基底表面形成有 导电区；在导电区上形成第一介质层，第一介质 层至少暴露出导电区的部分表面；在第一介质层 的表面形成第一导电层，且第一导电层保形覆盖 所述第一介质层，还覆盖暴露的导电区表面；在 基底上形成第二介质层，第二介质层覆盖所述基 底和第一导电层除顶部表面的其他表面，且第二 介质层表面与第一导电层的顶部表面齐平；在第 二介质层上形成第二导电层，第二导电层至少覆 盖第一导电层的部分顶部表面。其可以降低后续 各项工艺难度；第二导电层的整个顶部表面作为 A 后续互连面积，使互连面积得到增大，相应半导 5 体结构的互连能力得到提升。 5 9 8