一种提升钼铌单晶室温力学性能的方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115787063 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211496675.0 (22)申请日 2022.11.25 (71)申请人 西北有色金属研究院 地址 710016 陕西省西安市未央区未央路 96号 (72)发明人 黄丽　胡忠武　张文　高选乔　 殷涛　郭林江　郑晗煜　任广鹏　 刘燕　 (74)专利代理机构 西安创知专利事务所 61213 专利代理师 魏法祥 (51)Int.Cl. C30B 13/22 (2006.01) C30B 33/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 一种提升钼铌单晶室温力学性能的方法 (57)摘要 本发明公开了一种提升钼铌单晶室温力学 性能的方法，包括以下步骤：步骤一、将钼原料和 铌原料混合，然后通过电子束悬浮区域熔炼，得 到退火前单晶钼铌合金；步骤二、将步骤一中得 到的退火前单晶钼铌合金进行真空退火，得到力 学性能提升的单晶钼铌合金。本发明通过在钼单 晶中添加合金元素铌，有效提升纯钼单晶的强度 和高温稳定性，并将通过电子束悬浮区域熔炼制 备得到的钼铌单晶进行真空退火，有效降低钼铌 单晶体系的内应力，改善钼铌合金单晶内部的微 观缺，从而促进位错滑移，以此提升钼铌单晶的 力学性能，尤其是塑性变形能力。 A 3 6 0 7 8 7 5 1 1 N C CN 115787