发明

三态内容可定址存储器以及两端口静态随机存取存储器

2023-05-17 11:48:04 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202110095452.2
  • 公开(公告)日:2025-04-08
  • 公开(公告)号:CN114792540A
  • 申请人:联华电子股份有限公司
摘要:本发明公开一种三态内容可定址存储器与双端口静态随机存取存储器,其包括存储单元以及两晶体管。存储单元包括沿着第一方向延伸的第一主动区、第二主动区、第三主动区与第四主动区、以及沿着第二方向延伸的第一栅极线、第二栅极线、第三栅极线与第四栅极线。第一栅极线横跨第三主动区与第四主动区,第二栅极线横跨第四主动区,第三栅极线横跨第一主动区,且第四栅极线横跨第一主动区与第二主动区。晶体管电连接到存储单元,其中晶体管与存储单元沿着第一方向排列。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114792540 A (43)申请公布日 2022.07.26 (21)申请号 202110095452.2 (22)申请日 2021.01.25 (71)申请人 联华电子股份有限公司 地址 中国台湾新竹市 (72)发明人 黄俊宪 郭有策 王淑如 曾俊砚  张竣杰  (74)专利代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 专利代理师 陈小雯 (51)Int.Cl. G11C 11/411 (2006.01) G11C 11/413 (2006.01) G11C 7/18 (2006.01) 权利要求书2页 说明书13页 附图9页 (54)发明名称 三态内容可定址存储器以及两端口静态随 机存取存储器 (57)摘要 本发明公开一种三态内容可定址存储器与 双端口静态随机存取存储器,其包括存储单元以 及两晶体管。存储单元包括沿着第一方向延伸的 第一主动区、第二主动区、第三主动区与第四主 动区、以及沿着第二方向延伸的第一栅极线、第 二栅极线、第三栅极线与第四栅极线。第一栅极 线横跨第三主动区与第四主动区,第二栅极线横 跨第四主动区,第三栅极线横跨第一主动区,且 第四栅极线横跨第一主动区与第二主动区。晶体 管电连接到存储单元,其中晶体管与存储单元沿 着第一方向排列。 A 0 4 5 2 9 7 4 1 1 N C CN 114792540 A 权 利