硅光调制器及其形成方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113960818 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202011394481.0 (22)申请日 2020.12.02 (71)申请人 联合微电子中心有限责任公司 地址 401332 重庆市沙坪坝区西园一路28 号附2号 (72)发明人 胡志朋　邵斯竹　冯俊波　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 武振华　张振军 (51) Int.C l. G02F 1/025 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 硅光调制器及其形成方法 (57)摘要 一种硅光调制器及其形成方法，所述方法包 括 ：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面 进行刻蚀以得到脊型结构，所述脊型结构具有相 邻的P型掺杂区域以及N型掺杂区域；其中，沿所 述脊型结构的轴向方向，单位长度内所述P型掺 杂区域以及N型掺杂区域之间的交界面积逐渐增 大。本发明可以在沿脊型结构的轴向方向上，保 持PN结性能参数的稳定，从而保证调制器沿轴向 有均匀的特征阻抗和群折射率，进而提高调制器 的调制效率、器件带宽及整体性能。 A 8 1 8 0 6 9 3 1 1 N C CN 113960818 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一种硅光调制器的形