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PCT发明

双读取端口锁存器阵列位单元2026

2024-06-01 07:52:55 发布于四川 7
  • 申请专利号：CN202280057573.0
  • 公开（公告）日：2026-05-26
  • 公开（公告）号：CN118103909A
  • 申请人：超威半导体公司
摘要：本发明公开了用于提供存储器访问的有效平面规划、功率和性能折衷的设备和方法。双读取端口和单写入端口存储器位单元使用两个非对称读取访问电路在两个读取位线上传送所存储的数据。该两个读取位线被预充电到不同的电压参考电平。该存储器位单元的布局将该两个读取位线放置在与该单个写入位线相对的边缘上。该布局使用放置在这些边缘之间的P型扩散和N型扩散两者上方的虚拟栅极。尽管使用非对称读取访问电路，但该布局具有与N型晶体管相同数量的P型晶体管。该布局还具有比该P型晶体管的数量多一的接触栅极间距。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118103909 A (43)申请公布日 2024.05.28 (21)申请号 202280057573.0 (74)专利代理机构 上海胜康律师事务所 31263 专利代理师 李献忠　张华 (22)申请日 2022.07.08 (51)Int.Cl . (30)优先权数据 G11C 8/16 (2006.01) 17/359,445 2021.06.25 US G11C 11/412 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 H10B 10/00 (2023.01) 2024.02.23 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2022/036516 2022.07.08 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2022/272183 EN 2022.12.29 (71)申请人 超威半导体公司 地址 美国加利福尼亚州 (72)发明人 阿里吉特·班纳吉　约翰·J ·吴　 拉塞尔 ·施莱伯　

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