发明

一种环境气体分子插层调节范德华异质结光电转化性质的预测方法

2023-08-11 23:05:58 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310520932.8
  • 公开(公告)日:2024-12-10
  • 公开(公告)号:CN116564433A
  • 申请人:大连理工大学
摘要:本发明属于光催化和太阳能电池技术领域,具体涉及一种环境气体分子插层调节范德华异质结光电转化性质的预测方法。本发明提供的预测方法,采用理论模拟的方法构建环境气体分子插层范德华异质结模型、对分子插层异质结稳定构型结构优化和能量统计,筛选得到基态环境气体分子插层范德华异质结模型后;相较于未插层的范德华异质结超胞模型,对基态环境气体分子插层范德华异质结模型进行电子性质的评估、载流子动力学分析和非绝热耦合平均值分析,能够准确简便的预测不同环境气体分子对范德华异质结光电转化性质的影响。本发明提供的预测方法具有简单,可推广的优点,适用于整个TMDC异质结家族。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116564433 A (43)申请公布日 2023.08.08 (21)申请号 202310520932.8 (22)申请日 2023.05.10 (71)申请人 大连理工大学 地址 116081 辽宁省大连市甘井子区凌工 路2号 (72)发明人 高峻峰 张艳雪 常远  (74)专利代理机构 北京高沃律师事务所 11569 专利代理师 霍苗 (51)Int.Cl. G16C 20/30 (2019.01) G16C 60/00 (2019.01) G16C 10/00 (2019.01) G16C 20/70 (2019.01) 权利要求书2页 说明书12页 附图2页 (54)发明名称 一种环境气体分子插层调节范德华异质结 光电转化性质的预测方法 (57)摘要 本发明属于光催化和太阳能电池技术领域, 具体涉及一种环境气体分子插层调节范德华异 质结光电转化性质的预测方法。本发明提供的预 测方法,采用理论模拟的方法构建环境气体分子 插层范德华异质结模型、对分子插层异质结稳定 构型结构优化和能量统计,筛选得到基态环境气 体分子插层范德华异质结模型后;相较于未插层 的范德华异质结超胞模型,对基态环境气体分子 插层范德华异质结模型进行电子性质的评估、载 流子动力学分析和非绝热耦合平均值分析,能够 准确简便的预测不同环境气体分子对范德华异 A 质结光电转化性质的影响。本发明提供的预测方 3 法具有简单,可推广的优点,适用于

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