一种基于MRAM的PUF生成方法及PUF2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117690467 A (43)申请公布日 2024.03.12 (21)申请号 202211071031.7 (22)申请日 2022.09.02 (71)申请人 浙江驰拓科技有限公司 地址 311300 浙江省杭州市临安区青山湖 街道崇文路1718号 (72)发明人 韩谷昌　杨晓蕾　郝午阳　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 专利代理师 刘源 (51)Int.Cl. G11C 11/16 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图4页 (54)发明名称 一种基于MRAM的PUF生成方法及PUF (57)摘要 本发明公开了一种基于MRAM的PUF生成方法 及PUF，应用于计算机芯片安全技术领域，包括将 目标MRAM中MTJ 自由层的静态偏置磁场的平均值 控制为0Oe；控制目标MRAM中各个MTJ的自由层磁 矩处于不稳定状态；在MTJ 自由层的静态偏置磁 场的平均值为0Oe时，控制MTJ脱离不稳定状态， 使自由层确定磁矩方向，生成PUF。先将目标MRAM 中MTJ的偏置场的平均值控制为0Oe ，之后使得 MTJ 自由层中磁场处于不稳定状态。当解除该不 稳定状态，使得自由层中磁场向稳定转变时，该 自由层最终形成的磁场在两个方向的几率为 50％比50％，进而可以使得每个MTJ为P态或AP态 A 的几率为50％比50％，形成高精度的物理不可克 7 隆函数。 6 4 0 9 6 7