PCT发明

峰值电流降低的存储器核心加电

2023-04-22 09:15:42 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202080040751.X
  • 公开(公告)日:2025-03-25
  • 公开(公告)号:CN113939874A
  • 申请人:高通股份有限公司
摘要:一种存储器具有多个核心,该多个核心根据从第一核心到最终核心的加电次序加电。在当前核心的核心电源电压根据加电次序加电时,响应于核心电源电压超过后继核心中的控制晶体管的阈值电压,触发加电次序中的后继核心的加电。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113939874 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202080040751.X (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 (22)申请日 2020.06.02 代理人 傅远 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 16/430,137 2019.06.03 US G11C 5/14 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 G11C 5/06 (2006.01) 2021.12.01 G11C 11/417 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 H03K 17/28 (2006.01) PCT/US2020/035775 2020.06.02 H03K 17/30 (2006.01) (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/247404 EN 2020.12.10 (71)申

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