半导体MEMS器件的制备方法2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116969412 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202311053562.8 (22)申请日 2023.08.18 (71)申请人 无锡邑文微电子科技股份有限公司 地址 214028 江苏省无锡市新吴区观山路1 号 (72)发明人 林政勋　郭轲科　廖舜一　 (74)专利代理机构 北京超凡宏宇知识产权代理 有限公司 11463 专利代理师 杨勋 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图3页 (54)发明名称 半导体MEMS器件的制备方法 (57)摘要 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体 而言，涉及半导体MEMS器件的制备方法，包括：对 具有图形掩膜结构的衬底器件进行刻蚀，以形成 沟槽或孔洞；用离子轰击沟槽或孔洞的侧壁和顶 部，以增大粗糙度；在沟槽或孔洞的侧壁和顶部 沉积附着物，以形成表面不规则的填充层，且填 充层遮挡于沟槽和孔洞的开口处，以使沟槽或孔 洞的开口口径减小；在填充层沉积附着聚合物， 并形成封堵沟槽或孔洞的开口的封堵层；在封堵 层的表面外延生长出外延层。本发明的方法能够 改善沟槽或孔洞对应的空腔处出现下陷并形成 凹坑的问题，并且在制备时不需要精确对准，能 A 够降低工艺难度，提高良品率。 2 1 4 9 6 9 6 1 1 N C CN 11