一种d11工作模式驱动的PMUT单元及其制备方法2023

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116944006 A (43)申请公布日 2023.10.27 (21)申请号 202311203223.3 (22)申请日 2023.09.19 (71)申请人 中北大学 地址 030051 山西省太原市尖草坪区学院 路3号 (72)发明人 张乐　李陶　丑修建　耿文平　 何剑　穆继亮　崔浩然　余俊斌　 乔骁骏　郝泽宇　闫坤贤　叶雷　 (74)专利代理机构 太原科卫专利事务所(普通 合伙) 14100 专利代理师 郭晓丽 (51)Int.Cl. B06B 1/06 (2006.01) B81C 3/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种d 工作模式驱动的PMUT单元及其制备 11 方法 (57)摘要 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种 d 工作模式驱动的PMUT单元及其制备方法 ，解 11 决了现有PMUT性能较低的技术问题，该方法包括 在SOI片上表面制备压电层；在压电层上制作上 电极；在SOI片下表面沉积二氧化硅层，在二氧化 硅层的下表面向上刻蚀漏出SOI片的埋层；对二 氧化硅层和SOI片中的埋层进行腐蚀，得到PMUT 单元的空腔结构。本发明提供的PMUT单元采用压 电材料表面横向伸缩工作模式膜薄压电层与振 动层产生位移差，实现弯曲振动，可用于超声成 像，同时可提高输出电压及相应灵