非易失存储器擦除编程方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113077831 A (43)申请公布日 2021.07.06 (21)申请号 202110319206.0 (22)申请日 2021.03.25 (71)申请人 普冉半导体（上海）股份有限公司 地址 201210 上海市浦东新区盛夏路560号 504室 (72)发明人 陈涛　汪齐方　冯国友　 (74)专利代理机构 上海浦一知识产权代理有限 公司 31211 代理人 王江富 (51)Int.Cl. G11C 16/14 (2006.01) G11C 16/10 (2006.01) G11C 16/34 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 非易失存储器擦除编程方法 (57)摘要 本发明公开了一种非易失存储器擦除编程 方法，擦除操作时，将A类存储区的各存储单元进 行标准擦除变为擦除状态1，将B类存储区的各存 储单元进行弱擦除改变为弱擦除状态；编程操作 时，根据编程数据对所述A类存储区存储单元进 行编程，使对应于编程数据1的A类存储区存储单 元保持擦除状态，使对应于编程数据0的A类存储 区存储单元进行标准编程变为标准编程状态0， 同时对B类存储区的各存储单元不进行操作仍维 持为弱擦除状态。该非易失存储器擦除编程方 法，读出电路能根据A类存储区存储单元同B类存 储区存储单元的读出电流之间的大小关系来准 A 确确定A类存储区存储单元所存储的数据，能提 1