原创力.专利
发明
DDR双列直插式存储模块、存储系统及其操作方法
2022-11-07 10:21:15
发布于四川
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- 申请专利号：CN202211085285.4
- 公开（公告）日：2022-11-04
- 公开（公告）号：CN115295066A
- 申请人：芯动微电子科技（武汉）有限公司
摘要：本发明公开了一种利用数据缓存器纠错的DDR双列直插式存储模块、存储系统及其操作方法，DDR双列直插式存储模块包括第一信道，第一信道包括第一组DRAM颗粒和与第一组DRAM颗粒对应的数据缓存器；数据缓存器用于在写操作中将外部数据发送给第一组DRAM颗粒，以及在读操作中获取第一组DRAM颗粒的数据；数据缓存器还用于在写操作和读操作中进行ECC纠错。本发明在内存条上就能实现高性能的检错和纠错，能够极大地降低整个内存条的误码率。
专利内容
本发明公开了一种利用数据缓存器纠错的DDR双列直插式存储模块、存储系统及其操作方法，DDR双列直插式存储模块包括第一信道，第一信道包括第一组DRAM颗粒和与第一组DRAM颗粒对应的数据缓存器；数据缓存器用于在写操作中将外部数据发送给第一组DRAM颗粒，以及在读操作中获取第一组DRAM颗粒的数据；数据缓存器还用于在写操作和读操作中进行ECC纠错。本发明在内存条上就能实现高性能的检错和纠错，能够极大地降低整个内存条的误码率。G11C29/42(2006.01);G11C29/12(2006.01)
