一种MEMS器件及其制备方法和电子装置2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118083906 A (43)申请公布日 2024.05.28 (21)申请号 202410490641.3 (22)申请日 2024.04.23 (71)申请人 芯联越州集成电路制造（绍兴）有限 公司 地址 312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街 道临江路508号 (72)发明人 徐希锐　 (74)专利代理机构 北京磐华捷成知识产权代理 有限公司 11851 专利代理师 翟海青 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图7页 (54)发明名称 一种MEMS器件及其制备方法和电子装置 (57)摘要 本申请提供了一种MEMS器件及其制备方法 和电子装置，所述方法包括：提供衬底，在所述衬 底上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层，以暴露出所 述衬底的部分表面；在所述牺牲层的外表面上沉 积空腔覆盖材料，其中，所述空腔覆盖材料覆盖 所述牺牲层的顶表面和侧表面；刻蚀所述空腔覆 盖材料以形成释放孔和至少一个连接槽，其中， 所述释放孔贯穿所述空腔覆盖材料并露出部分 所述牺牲层，所述连接槽位于所述释放孔的外 侧，所述连接槽从所述空腔覆盖材料表面延伸至 所述空腔覆盖材料内部；通过所述释放孔，刻蚀 去除至少部分所述牺牲层，以形成被所述空腔覆 A 盖材料包围的空腔；形成释放孔填