一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡度测试结构及测试方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114031032 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111326978.3 (22)申请日 2021.11.10 (71)申请人 河海大学 地址 211100 江苏省南京市江宁区佛城西 路8号 (72)发明人 刘海韵　李臣民　高红民　沈洁　 (74)专利代理机构 南京纵横知识产权代理有限 公司 32224 代理人 钱玲玲 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种用于多层键合MEMS器件的跨层过刻坡 度测试结构及测试方法 (57)摘要 本发明公开了一种用于多层键合MEMS器件 的跨层过刻坡度测试结构及测试方法，其中，测 试结构包括键合连接的SOI硅片和上层硅片；SOI 硅片包括从下至上依次设置的底层硅衬底、绝缘 层和由单晶硅结构层构成的过刻结构；上层硅片 包括等距顺次设置的第一L型硅梁单元、第二L型 硅梁单元、第三L型硅梁单元和第四L型硅梁单 元；四个L型硅梁单元围成方形刻蚀区；其中，测 试方法包括采用四线法测量过刻结构的等效电 阻率，根据等效电阻率计算得到过刻结构的过刻 坡度。本发明的测试结构简单，制备成本低，测试 A 方法步骤简洁，能够快速获得结果，且通用性强。 2 3 0 1 3 0 4 1 1 N C CN 1