一种基于肖特基结温敏特性的GaN基HEMT温升和热阻测试系统2026

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117907787 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202410113792.7 (22)申请日 2024.01.26 (71)申请人 北京工业大学 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号 (72)发明人 张亚民　黄秀娟　孟宪伟　冯士维　 郭春生　 (74)专利代理机构 北京思海天达知识产权代理 有限公司 11203 专利代理师 王兆波 (51)Int.Cl. G01R 31/26 (2020.01) 权利要求书2页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 一种基于肖特基结温敏特性的GaN基HEMT温 升和热阻测试系统 (57)摘要 本发明公开了一种基于肖特基结温敏特性 的GaN基HEMT温升和热阻测试系统，本发明采用 电学法，以栅源肖特基结正向压降为温敏参数， 以栅漏肖特基结正向压降为温敏参数对GaN基 HEMT进行温升和热阻测量。本发明可以实现采用 栅漏肖特基结正向压降作为温敏参数，对GaN基 HEMT进行温升和热阻测量，这使得测量结果比现 有技术测量的待测器件温升更高；利用基于FPGA 的时序控制电路对器件的三端开关进行灵活的 控制，分别实现以栅源、栅漏以及将源漏短接后 的肖特基结正向压降为温敏参数的温升和热阻 A 的测量，且开关时间控制在微秒级别，实现加热 7 状态和测试状态的快速切换。该系统能够提供稳 8 7 7 定的测试电流，并且该测试电流值可以在一定范 0 9