一种二硅化钼靶材的制备方法2025

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117105672 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202311081727.2 C23C 14/06 (2006.01) (22)申请日 2023.08.25 (71)申请人 宁波江丰电子材料股份有限公司 地址 315400 浙江省宁波市余姚市经济开 发区名邦科技工业园区安山路 (72)发明人 姚力军　潘杰　李爽　黄东长　 吴东青　 (74)专利代理机构 北京远智汇知识产权代理有 限公司 11659 专利代理师 刘春青 (51)Int.Cl. C04B 35/58 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/645 (2006.01) C04B 35/65 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图1页 (54)发明名称 一种二硅化钼靶材的制备方法 (57)摘要 本发明涉及一种二硅化钼靶材的制备方法， 所述制备方法包括以下步骤：(1)混合钼粉和硅 粉，然后进行球磨，得到混粉料；(2)将步骤(1)得 到的所述混粉料在1200‑1400℃下进行热压烧 结，得到坯料；(3)将步骤(2)得到的所述坯料进 行机加工，得到靶材。本发明提供的制备方法能 够得到含有MoSi 单相的靶材，并且纯度和致密 2 度较高，微观组织结构均