一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法和应用2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117185825 A (43)申请公布日 2023.12.08 (21)申请号 202311071130.X C04B 35/64 (2006.01) H01L 23/29 (2006.01) (22)申请日 2023.08.23 (71)申请人 哈尔滨工业大学重庆研究院 地址 401135 重庆市渝北区龙兴镇两江大 道618号 申请人 哈尔滨工业大学 (72)发明人 杨治华　贺云鹏　周国相　张砚召　 (74)专利代理机构 北京三聚阳光知识产权代理 有限公司 11250 专利代理师 周淑歌 (51)Int.Cl. C04B 35/80 (2006.01) C04B 35/584 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/638 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图2页 (54)发明名称 一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法和应用 (57)摘要 本发明属于氮化硅陶瓷材料技术领域，具体 涉及一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法和应用。 本发明通过无机粉体中各原料的配合以及用量 的调整，提供了一种高热导率、高强度、高韧性、 色泽均一的氮化硅陶瓷基板，以α ‑Si N