一种基于铁电场效应晶体管的支持片上训练的存内计算方法2026

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118070860 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410220430.8 (22)申请日 2024.02.28 (71)申请人 北京大学 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号 (72)发明人 黄如　陈泽睿　罗金　黄芊芊　 (74)专利代理机构 北京万象新悦知识产权代理 有限公司 11360 专利代理师 贾晓玲 (51)Int.Cl. G06N 3/065 (2023.01) G06N 3/084 (2023.01) G11C 11/22 (2006.01) G11C 11/54 (2006.01) G06G 7/32 (2006.01) G06F 15/78 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图5页 (54)发明名称 一种基于铁电场效应晶体管的支持片上训 练的存内计算方法 (57)摘要 本发明提供一种基于铁电场效应晶体管的 支持片上训练的存内计算方法，构建基于铁电场 效应晶体管的双极随机权重更新规则的对称存 内计算单元，其包括差分存储单元和三态输出同 或逻辑编程单元，差分存储单元包括两个的N型 铁电场效应晶体管T1、T2 ，T1为核心存储的权重 器件，其栅极为编程端口，连接三态输出同或逻 辑编程单元的输出端，T2为差分权重器件，三态 输出同或逻辑编程单元包括两个N型和两个P型 MOSFET ，M1 ～M