一种低温漂、高PSRR的无运放带隙基准电路2026

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117891305 A (43)申请公布日 2024.04.16 (21)申请号 202410141228.6 (22)申请日 2024.01.31 (71)申请人 浙江巨磁智能技术有限公司 地址 314000 浙江省嘉兴市经济技术开发 区嘉兴市昌盛南路36号嘉兴智慧产业 创新园4号楼101室 (72)发明人 曹武　钟政　 (74)专利代理机构 嘉兴嘉科嘉创专利代理事务 所(普通合伙) 33348 专利代理师 曹秀春 (51)Int.Cl. G05F 1/567 (2006.01) 权利要求书2页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种低温漂、高PSRR的无运放带隙基准电路 (57)摘要 本发明属于电子电路技术领域，尤其涉及一 种低温漂、高PSRR的无运放带隙基准电路，包括 MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、 MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、 MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、MOS管 M15、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、电阻R1、电 阻R2、电阻R3；与现有技术相比，本发明电路为无 运放的带隙基准电路，其避免了运放失调电压对 基准电压的影响，提高了基准电压的精度；通过 调整电阻系数可以很好地调整基准电压的温度 系数，实现低温漂基准电压。 A 5 0 3 1 9 8 7 1 1