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量子点、其制备方法以及包括量子点的光学构件

2023-05-14 12:26:13 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202111551199.3
  • 公开(公告)日:2025-03-28
  • 公开(公告)号:CN114686233A
  • 申请人:三星显示有限公司
摘要:提供了量子点、其制备方法以及包括量子点的光学构件。量子点包括:包括与镓(Ga)形成合金的第III‑V族半导体化合物的核;围绕核的第一壳;和围绕第一壳的第二壳,其中第一壳包括第一化合物,所述第一化合物包括第II‑VI族半导体化合物、第III‑V族半导体化合物或第III‑VI族半导体化合物,第二壳包括第二化合物,第二化合物包括第II‑VI族半导体化合物、第III‑V族半导体化合物或第III‑VI族半导体化合物,第一化合物和第二化合物彼此不同,并且核的材料中的特定元素的原子百分数、第一壳和第二壳中的元素相对于核的比例满足一定的范围。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114686233 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202111551199.3 (22)申请日 2021.12.17 (30)优先权数据 10-2020-0186767 2020.12.29 KR (71)申请人 三星显示有限公司 地址 韩国京畿道 (72)发明人 郑濬赫 朴昇元 宋政勋 李栢熙  李准宇 张宰福  (74)专利代理机构 北京德琦知识产权代理有限 公司 11018 专利代理师 潘怀仁 康泉 (51)Int.Cl. C09K 11/88 (2006.01) C09K 11/02 (2006.01) H01L 33/50 (2010.01) 权利要求书2页 说明书14页 附图3页 (54)发明名称 量子点、其制备方法以及包括量子点的光学 构件 (57)摘要 提供了量子点、其制备方法以及包括量子点 的光学构件。量子点包括:包括与镓(Ga)形成合 金的第III‑V族半导体化合物的核;围绕核的第 一壳;和围绕第一壳的第二壳,其中第一壳包括 第一化合物,所述第一化合物包括第II‑VI族半 导体化合物、第III‑V族半导体化合物或第III‑ VI族半导体化合物,第二壳包括第二化合物,第 二化合物包括第II‑VI族半导体化合物、第III‑V 族半导体化合物或第III‑VI族半导体化合物,第 一化合物和第二化合物彼此不同,并且核的材料

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