一种全硅谐振环陀螺结构及制造方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116177482 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202211410602.5 (22)申请日 2022.11.11 (71)申请人 中国航空工业集团公司西安飞行自 动控制研究所 地址 710076 陕西省西安市雁塔区锦业路 129号 (72)发明人 王健　熊恒　牛昊彬　 (74)专利代理机构 中国航空专利中心 11008 专利代理师 秦媛媛 (51)Int.Cl. B81B 7/00 (2006.01) B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) G01C 19/56 (2012.01) H01P 7/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图5页 (54)发明名称 一种全硅谐振环陀螺结构及制造方法 (57)摘要 本发明属于微电子机械技术领域，公开了一 种全硅谐振环陀螺结构及其制造方法，硅结构层 由同心不同半径且互相连接的多个圆环组成，圆 环之间通过辐条连接，辐条圆周方向对称分布， 中心锚点支撑，环与环之间为附加结构并与底层 硅通孔层结构锚定，环最外围为圆弧形分立电 极。环结构图形与附加结构和电极间隙相同 ，保 证环在干法刻蚀过程中散热均匀，提高刻蚀均一 性。硅结构层与硅通孔层、硅盖板层三者分别键 合实现器件密封。硅结构层和硅通孔层通过硅硅 键合方式连接，硅通孔层上刻蚀硅通孔，电极通