一种适用于MEMS加速度传感器芯片的低应力封装结构

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112158792 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011001239.2 (22)申请日 2020.09.22 (71)申请人 浙江大学 地址 310012 浙江省杭州市西湖区余杭塘 路866号 (72)发明人 车录锋　 (74)专利代理机构 杭州君度专利代理事务所 (特殊普通合伙) 33240 代理人 徐锋 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81B 7/00 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种适用于MEMS加速度传感器芯片的低应 力封装结构 (57)摘要 本发明涉及传感器芯片封装领域，尤其涉及 一种适用于MEMS加速度传感器芯片的低应力封 装结构，包括MEMS传感器芯片和管壳，传感器芯 片底部两端设有金属层区域，管壳腔体底部两端 也设有对应的金属层区域；传感器芯片底部一端 金属层与管壳腔体底部一端金属层粘接，芯片底 部另一端金属层与管壳腔体底部另一端金属层 仅接触但不粘接；为阻止粘接材料高温封装时溢 向另一侧金属层区域，在传感器芯片底部两侧金 属层之间，靠近其中一侧设有凹槽；MEMS传感器 芯片仅底部一端与管壳封装为一体，另一端呈自 A 由状态，且芯片与管壳侧壁留有一定的间隙，保 2 证了高温封装时，芯片材料有一定裕度的膨胀空