基于曲面基底的三维微纳器件的制造方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114684781 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202210348513.6 (22)申请日 2022.04.01 (71)申请人 清华大学 地址 100084 北京市海淀区清华园1号 (72)发明人 张一慧　金天棨　薛兆国　 (74)专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事 务所(普通合伙) 11277 专利代理师 刘新宇 (51)Int.Cl. B81C 1/00 (2006.01) B81C 3/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图6页 (54)发明名称 基于曲面基底的三维微纳器件的制造方法 (57)摘要 本公开涉及一种基于曲面基底的三维微纳 器件的制造方法。该方法包括：根据对应的预应 力加载策略对曲面基底进行预应力加载，得到展 后曲面基底；将根据具有目标空间结构的三维微 纳器件制造出的二维前驱体转印至展后曲面基 底；将二维前驱体的待固定部分固定到展后曲面 基底上；释放展后曲面基底所加载的预应力，以 使得二维前驱体变形为三维微纳器件，得到曲面 基底和固定组装于曲面基底上的三维微纳器件。 该方法可以在几何形貌复杂的曲面上高效、快 速、精确的设计并组装丰富的三维微纳器件。适 用的组装范围更加广泛，拓扑结构组装丰富性更 A 强。可用于开发适用于曲面的、应用范围广泛的 1 新型三维柔性电子器件。 8 7 4 8 6 4