半导体存储装置

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114639428 A (43)申请公布日 2022.06.17 (21)申请号 202110766118.5 (22)申请日 2021.07.07 (30)优先权数据 2020-208454 2020.12.16 JP (71)申请人 铠侠股份有限公司 地址 日本东京 (72)发明人 加藤光司　 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 专利代理师 杨林勳 (51)Int.Cl. G11C 16/34 (2006.01) G11C 16/04 (2006.01) 权利要求书3页 说明书25页 附图22页 (54)发明名称 半导体存储装置 (57)摘要 本发明的一实施方式提供一种能抑制写入 速度的降低且能提高数据的可靠性的半导体存 储装置。一实施方式的半导体存储装置包含多个 存储单元晶体管、字线、多个位线、控制器。字线 连接于多个存储单元晶体管。多个位线分别连接 于多个存储单元晶体管。控制器执行写入动作， 该写入动作反复执行包含编程动作与验证动作 的编程循环。控制器在第1数据的验证动作中，对 字线施加第1数据的验证高电压的期间，判定供 写入第1数据的存储单元晶体管是否超过第1数 据的验证高电压，且判定供写入第2数据的存储 单元晶体管是否超过第2数据的验证低电压。 A 8 2 4 9 3 6 4 1 1 N C CN 114639428 A