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光学邻近修正方法和掩膜版的制作方法

2023-07-06 11:03:26 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202010594925.9
  • 公开(公告)日:2024-04-19
  • 公开(公告)号:CN113835293A
  • 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司|||中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要:一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法,其中光学邻近修正方法包括:提供目标图形;根据若干经验规则,分别对所述目标图形进行模拟修正,获取与各经验规则对应的模拟修正图形;根据若干模拟修正图形,获取参考经验规则;根据所述参考经验规则,对所述目标图形进行所述第一修正处理,获取第一目标修正图形;对所述第一目标修正图形进行第二修正处理,获取第二目标修正图形,所述第二目标修正图形的第一边缘放置误差在预设范围之内。所述方法能够有效提升光学邻近修正后的图形效果。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113835293 A (43)申请公布日 2021.12.24 (21)申请号 202010594925.9 (22)申请日 2020.06.24 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限 公司 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号 申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限 公司 (72)发明人 王占雨 朱继承 王何宁 胡月  (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 徐文欣 (51)Int.Cl. G03F 1/36 (2012.01) G03F 7/20 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图3页 (54)发明名称 光学邻近修正方法和掩膜版的制作方法 (57)摘要 一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方 法,其中光学邻近修正方法包括:提供目标图形; 根据若干经验规则,分别对所述目标图形进行模 拟修正,获取与各经验规则对应的模拟修正图 形;根据若干模拟修正图形,获取参考经验规则; 根据所述参考经验规则,对所述目标图形进行所 述第一修正处理,获取第一目标修正图形;对所 述第一目标修正图形进行第二修正处理,获取第 二目标修正图形,所述第二目标修正图形的第一 边缘放置误差在预设范围之内。所述方法能够有 效提升光学邻近修正后的图形效果。 A 3 9 2 5 3 8 3 1 1 N

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