一种硅氧化物膜的成膜方法2025
- 申请专利号:CN202311781167.1
- 公开(公告)日:2025-02-25
- 公开(公告)号:CN117737705A
- 申请人:大连恒坤新材料有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117737705 A (43)申请公布日 2024.03.22 (21)申请号 202311781167.1 (22)申请日 2023.12.22 (71)申请人 大连恒坤新材料有限公司 地址 116600 辽宁省大连市金普新区松木 岛化工园区松源街 (72)发明人 毛鸿超 董岐 李禾禾 曲胜伟 (74)专利代理机构 厦门荔信律和知识产权代理 有限公司 35282 专利代理师 林显木 (51)Int.Cl. C23C 16/50 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 (54)发明名称 一种硅氧化物膜的成膜方法 (57)摘要 本发明涉及硅材料技术领域,且公开了一种 硅氧化物膜的成膜方法,本发明以钌负载分子筛 催化剂催化二异丙胺和苯硅烷进行反应和精馏 提纯,得到高纯度的二异丙胺硅烷,气相纯度达 到98.7‑99.6%。然后以其作为硅源,通过等离子 体化学气相沉积法,得到硅氧化物膜,S i元素和 O元素的含量高,其杂元素C的含量低,仅为8.92‑ 15.19%。为制备高纯度的二异丙胺硅烷、高性能 的硅氧化物膜提供了全新的策略。 A 5 0 7 7 3 7 7 1 1 N C CN 117737705 A 权 利 要 求 书 1/1页 1.一种