一种利用磁控共溅射工艺在聚酰亚胺表面制备非晶合金防护薄膜的方法2025

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117026191 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311031708.9 (22)申请日 2023.08.16 (71)申请人 哈尔滨工业大学 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西 大直街92号 (72)发明人 黄永江　赵天旭　宁志良　范洪波　 曹福洋　孙剑飞　 (74)专利代理机构 哈尔滨市松花江联合专利商 标代理有限公司 23213 专利代理师 高志光 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/20 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种利用磁控共溅射工艺在聚酰亚胺表面 制备非晶合金防护薄膜的方法 (57)摘要 一种利用磁控共溅射工艺在聚酰亚胺表面 沉积制备非晶合金防护薄膜的方法，涉及一种非 晶合金防护薄膜的制备方法。旨在解决现有的聚 酰亚胺薄膜的空间环境耐受能力差的问题。方 法：聚酰亚胺薄膜基底的处理，进行离子预溅射， 在磁控溅射真空室中进行非晶合金防护薄膜的 磁控溅射，在聚酰亚胺薄膜基底表面形成非晶合 金防护薄膜；采用的靶材包括合金靶材和单质Ni 靶材。本发明结合磁控溅射沉积技术对非晶合金 薄膜生长，制备出铝基非晶合金/聚酰亚胺基混 合薄膜，具备优异的空间环境耐受能力，提升其 A 抗原子氧侵蚀能力。 1 9 1 6 2 0 7 1 1