一种自适应工作频率的铁电存储器写入方法、装置及电子设备

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114300009 A (43)申请公布日 2022.04.08 (21)申请号 202111624575.7 (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人 北京超弦存储器研究院 地址 100176 北京市大兴区经济技术开发 区科创十街18号京东贝科技园11号楼 4层 申请人 中国科学院微电子研究所 (72)发明人 杨建国　罗庆　韩忠泽　张栋林　 韩永康　 (74)专利代理机构 北京知迪知识产权代理有限 公司 11628 代理人 王胜利 (51)Int.Cl. G11C 11/22 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图4页 (54)发明名称 一种自适应工作频率的铁电存储器写入方 法、装置及电子设备 (57)摘要 本发明公开一种自适应工作频率的铁电存 储器写入方法、装置及电子设备，涉及微电子技 术领域。所述方法包括：向所述铁电存储器的位 线提供两个不同的写入电压；获取工作频率数据 和目标写入速度；基于所述工作频率数据和所述 目标写入速度，自适应动态调整所述铁电存储器 写入时所述位线上的两个不同的所述写入电压 所占的时间比例，完成数据的写入，可以实现降 低功耗的同时也可以保证铁电存储器的读写性 能，使得铁电存储器的应用场景得到进一步的拓 展，不仅能满足节能型芯片的低功耗要求，同时 A 也可以在需要快速写入时提高写入速度，提高了 9 铁