硅纳米球探针制造高性能纳米线器件和界面提升方法2023

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116902910 A (43)申请公布日 2023.10.20 (21)申请号 202310608577.X (22)申请日 2023.05.27 (71)申请人 浙江大学 地址 310012 浙江省杭州市西湖区余杭塘 路866号 (72)发明人 胡欢　潘鑫　丁小蕾　乔宝石　 徐杨　 (74)专利代理机构 河南博恒知识产权代理事务 所(普通合伙) 41219 专利代理师 曹玉清 (51)Int.Cl. B82B 3/00 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图3页 (54)发明名称 硅纳米球探针制造高性能纳米线器件和界 面提升方法 (57)摘要 本发明公开了硅纳米球探针制造高性能纳 米线器件和界面提升方法，包括转移二维材料 ； 对二维材料进行热退火，原子力显微镜接触模式 扫描等；转移一维材料纳米线；原子力显微镜非 接触模式定位纳米线位置；原子力显微镜控制模 式旋转移动纳米线，使纳米线和二维材料特定区 域接触；原子力显微镜力曲线模式依次扫描纳米 线/二维材料接触区域；同时，该纳米球探针通过 聚焦离子束仪器的高能氦离子束注入单晶硅表 面，通过调节氦离子的注入电压、开关阀门的开 启时间定量调控注入的离子剂量；本发明不会引 A 入额外的污染物，并且可以定点、快速、精准处理 0 材料表面，具有在纳米尺度的高度的可行性和可 1 9