一种刻蚀方法2026

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118080492 A (43)申请公布日 2024.05.28 (21)申请号 202211502352.8 (22)申请日 2022.11.28 (71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司 地址 100176 北京市大兴区经济技术开发 区文昌大道8号 (72)发明人 程诗垚　史小平　任攀　 (74)专利代理机构 北京国昊天诚知识产权代理 有限公司 11315 专利代理师 施敬勃 (51)Int.Cl. B08B 9/08 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01) H01L 21/306 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种刻蚀方法 (57)摘要 本发明公开一种刻蚀方法，所公开的刻蚀方 法包括向半导体工艺设备的工艺内腔中通入氢 气和卤素气体，以使所述氢气和所述卤素气体反 应生成卤元素自由基；通过所述卤元素自由基对 所述工艺内腔中的待刻蚀硅薄膜进行刻蚀，并生 成目标气体排出。上述方案可以解决相关技术中 为了实现自动清洗腔室壁沉积的薄膜，需要设置 辉光放电的相关器件而导致的半导体工艺设备 的结构相对复杂的问题。 A 2 9 4 0 8 0 8 1 1 N C CN 118080492 A 权　利　要　求　书 1/2页 1.一