发明

一种微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片及其制备方法和应用2025

2024-02-15 07:14:24 发布于四川 5
  • 申请专利号:CN202311522363.7
  • 公开(公告)日:2025-11-11
  • 公开(公告)号:CN117505838A
  • 申请人:哈尔滨工业大学
摘要:一种微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片及其制备方法和应用,属于电子封装微互连技术领域,具体方案为:通过化学镀法制得微米Cu@In核壳材料,并与微米In颗粒、微米Ag颗粒进行混合,最终得到微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片。将微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片置于基板上,并将芯片、预制片、基板装配成三明治结构,得到整体器件,将所述整体器件在一定压力下进行连接,得到互连器件。本发明能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117505838 A (43)申请公布日 2024.02.06 (21)申请号 202311522363.7 (22)申请日 2023.11.15 (71)申请人 哈尔滨工业大学 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西 大直街92号 (72)发明人 刘威 邱圣洋 安荣 温志成  杭春进 郑振 田艳红  (74)专利代理机构 哈尔滨龙科专利代理有限公 司 23206 专利代理师 李智慧 (51)Int.Cl. B22F 1/05 (2022.01) B22F 1/17 (2022.01) B22F 1/145 (2022.01) B22F 3/03 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合 材料预制片及其制备方法和应用 (57)摘要 一种微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合 材料预制片及其制备方法和应用,属于电子封装 微互连技术领域,具体方案为:通过化学镀法制 得微米Cu@In核壳材料,并与微米In颗粒、微米Ag 颗粒进行混合,最终得到微米Ag、微米In与微米 Cu@In核壳混合材料预制片。将微米Ag、微米In与 微米Cu@In核壳混合材料预制片置于基板上,并 将芯片、预制片、基板装配成三明治结构,得到整 体器件,将所述整体器件在一定压力下进行连 接,得到互

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