抛光液
- 申请专利号:CN202211695178.3
- 公开(公告)日:2025-04-11
- 公开(公告)号:CN116285697A
- 申请人:纯钧新材料(深圳)有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116285697 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202211695178.3 (22)申请日 2022.12.28 (71)申请人 纯钧新材料(深圳)有限公司 地址 518000 广东省深圳市宝安区新安街 道兴东社区67区大仟工业厂区2号厂 房6层B01 (72)发明人 施翊璇 汤弢 (74)专利代理机构 深圳市瑞方达知识产权事务 所(普通合伙) 44314 专利代理师 张秋红 (51)Int.Cl. C09G 1/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图6页 (54)发明名称 抛光液 (57)摘要 本发明公开了一种抛光液,包括以下质量份 数的组分:纳米级研磨颗粒5~25份、氧化剂0 .1 ~0.5份和水74~94 .899份,纳米级研磨颗粒为 碲化铋颗粒 ;抛光液还包括pH调节剂,pH调节剂 调节抛光液的pH值至3.5‑6.0;本发明的抛光液, 提供弱酸环境,加速碲化铋晶片钝化速度,在碲 化铋晶片表面形成一层钝化层,减少凹凸不平表 面凹陷区域的各向同性蚀刻;并且碲化铋颗粒的 硬度低,不易造成碲化铋晶片表面划伤,同时也 能降低晶片表面粗糙度;纳米级碲化铋颗粒在弱 酸环境下,zeta电位可以高达40mV以上,分散性 好,无需添加分散剂,且不易残存在碲化铋晶片 A 上,经过去离子水超声清洗后,表面残存碲化铋 7 颗粒极少;抛光液中加入氧化剂,氧化剂的化学
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