一种CaZnOS-MgF2异质结应力发光材料及其制备方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117384621 A (43)申请公布日 2024.01.12 (21)申请号 202311327375.4 (22)申请日 2023.10.13 (71)申请人 深圳大学 地址 518060 广东省深圳市南山区南海大 道3688号 (72)发明人 彭登峰　梁天龙　郑元钿　张鲜辉　 任碧赟　李旭　黄泽锋　罗江承　 朱明炬　张祺安　方子奕　吴明治　 (74)专利代理机构 武汉同誉知识产权代理有限 公司 42320 专利代理师 于福 (51)Int.Cl. C09K 11/61 (2006.01) C09K 11/56 (2006.01) C09K 11/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图8页 (54)发明名称 一种CaZnOS-MgF 异质结应力发光材料及其 2 制备方法 (57)摘要 本发明提供了一种CaZnOS‑MgF 异质结应力 2 发光材料及其制备方法，所述应力发光材料的化 学通式为mCaZnOS‑nMgF :xM，其中，M是掺杂离 2 子，为Mn、Tb、Pr、Nd、Yb中的单种元素或多种的组 合物，m、n和x分别表示CaZnOS、MgF 和M的摩尔