用于半导体存储器装置的错误检查和擦除

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113393890 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 202110219629.5 (22)申请日 2021.02.26 (30)优先权数据 16/816,024 2020.03.11 US (71)申请人 美光科技公司 地址 美国爱达荷州 (72)发明人 R ·J ·鲁尼　M ·A ·布莱瑟　 (74)专利代理机构 北京律盟知识产权代理有限 责任公司 11287 代理人 王龙 (51)Int.Cl. G11C 29/42 (2006.01) G11C 11/406 (2006.01) 权利要求书3页 说明书15页 附图7页 (54)发明名称 用于半导体存储器装置的错误检查和擦除 (57)摘要 本申请案涉及用于半导体存储器装置的错 误检查和擦除。描述用于存储器装置(例如， DRAM)的包含结合刷新操作的错误检查和擦除 ECS程序的方法、系统和设备。所述ECS程序可当 在码字中检测到错误时包含读取/修改‑写入循 环。在一些实施例中，所述存储器装置可在多个 刷新命令内完成所述ECS程序，即通过在执行第 一刷新命令时执行所述ECS程序的读取(或读取/ 修改)部分，以及通过在执行第二刷新命令时执 行所述ECS程序的写入部分来完成所述ECS程序。 本文中所描述的所述ECS程序可有助于避免可在 所述ECS程序和其它存储器操作之间出现的信令 A 冲突或干扰。 0 9 8 3 9