发明

一种基于有源耦合的二自由度谐振式MEMS传感器及应用

2023-04-23 09:33:06 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202010734433.5
  • 公开(公告)日:2024-12-06
  • 公开(公告)号:CN113968570A
  • 申请人:华中科技大学
摘要:本发明公开了一种基于有源耦合的二自由度谐振式MEMS传感器及应用,属于信息工程领域中的微机电系统及其传感、控制领域。包括有源耦合模块、感测模块和MEMS谐振器件,MEMS谐振器件包括第一谐振器和第二谐振器;有源耦合模块将第一谐振器和第二谐振器相互有源耦合起来,使得第一谐振器的频率和第二谐振器的频率在特定区间内快速收敛,在频率快速收敛的区间内,待测量的变化导致的第一谐振器和第二谐振器的频率变化远高于无有源耦合结构的传统谐振式传感方式,通过检测第一谐振器和第二谐振器的频率变化,以及第一谐振器和第二谐振器的频率变化之差,即可测得待测量变化。本发明可以解决现有技术中谐振式加速度传感器灵敏度和分辨率较低的问题。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113968570 A (43)申请公布日 2022.01.25 (21)申请号 202010734433.5 (22)申请日 2020.07.24 (71)申请人 华中科技大学 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路 1037号 (72)发明人 赵纯  (74)专利代理机构 华中科技大学专利中心 42201 代理人 李智 (51) Int.C l. B81B 7/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种基于有源耦合的二自由度谐振式MEMS 传感器及应用 (57)摘要 本发明公开了一种基于有源耦合的二自由 度谐振式MEMS传感器及应用,属于信息工程领域 中的微机电系统及其传感、控制领域。包括有源 耦合模块、感测模块和MEMS谐振器件,MEMS谐振 器件包括第一谐振器和第二谐振器;有源耦合模 块将第一谐振器和第二谐振器相互有源耦合起 来,使得第一谐振器的频率和第二谐振器的频率 在特定区间内快速收敛,在频率快速收敛的区间 内,待测量的变化导致的第一谐振器和第二谐振 器的频率变化远高于无有源耦合结构的传统谐 振式传感方式,通过检测第一谐振器和第二谐振 A 器的频率变化,以及第一谐振器和第二谐振器的 0 频率变化之差,即可测得待测量变化。本发明可 7 5 8 以解决现有技术中谐振式加速度传感器灵敏度 6 9 3 和分辨率较低的问题。 1 1

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