一种用于激光约束核聚变常温实验的沟槽靶及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116013554 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202211689342.X (22)申请日 2022.12.27 (71)申请人 上海交通大学 地址 200240 上海市闵行区东川路800号 (72)发明人 林祖德　刘景全　王晓林　刘武　 文惠敏　尤敏敏　 (74)专利代理机构 上海恒慧知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 31317 专利代理师 徐红银　禹雪平 (51)Int.Cl. G21B 1/19 (2006.01) G21B 1/05 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 一种用于激光约束核聚变常温实验的沟槽 靶及其制备方法 (57)摘要 本发明提供一种用于激光约束核聚变常温 实验的沟槽靶及其制备方法，该方法包括：通过 3D打印工艺制作两个压缩面，两个所述压缩面之 间留有间隙并形成预设夹角，形成双面沟槽结 构；通过3D打印工艺制作所述双面沟槽结构的支 撑结构；于所述双面沟槽结构的外部形成抗压缩 涂层；提供聚合物压缩柱状壳，作为压缩及烧蚀 层结构；将所述聚合物压缩柱状壳置于所述双面 沟槽结构的中部，所述聚合物压缩柱状壳的张口 正对所述间隙，将所述聚合物压缩柱状壳的两端 分别与两个所述压缩面连接。本发明解决了高精 A 度沟槽靶制备的工艺难题，且使得压缩沟槽间的 4 角度及距离可得到高精度控制，同时具有操作流 5 5 3