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PCT发明

用于集成传感器器件的样本井制造技术及结构

2023-06-11 12:53:24 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN201980071658.2
  • 公开（公告）日：2024-08-02
  • 公开（公告）号：CN112955401A
  • 申请人：宽腾矽公司
摘要：本发明描述形成集成器件及特定言之形成集成器件中的一个或多个样本井的方法。这些方法可涉及：在包覆层上方形成金属堆叠；在该金属堆叠中形成孔隙；在所述孔隙内形成第一间隔材料；以及通过移除所述包覆层中的一些以将所述孔隙的深度延伸到所述包覆层中而形成样本井。在得到的样本井中，所述第一间隔材料的至少一部分与所述金属堆叠的至少一层接触。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112955401 A (43)申请公布日 2021.06.11 (21)申请号 201980071658.2 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 (22)申请日 2019.08.29 代理人 谭营营　胡彬 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 62/724,206 2018.08.29 US B81C 1/00 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 B01L 3/00 (2006.01) 2021.04.28 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/US2019/048836 2019.08.29 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/047272 EN 2020.03.05 (71)申请人 宽腾矽公司 地址 美国康涅狄格州 (72)发明人 杰勒德 ·施密德　J ·比奇　 权利要求书3页 说明书19页

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