一种MEMS半导体芯片及其制备方法2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117303303 A (43)申请公布日 2023.12.29 (21)申请号 202311403159.3 (22)申请日 2023.10.27 (71)申请人 北京六知科技有限公司 地址 101407 北京市怀柔区雁栖经济开发 区雁栖大街53号院13号楼5层01-502- 16室 申请人 天津六知科技有限公司 (72)发明人 高艳炫　 (74)专利代理机构 北京中创云知识产权代理事 务所(普通合伙) 11837 专利代理师 王强 (51)Int.Cl. B81B 7/02 (2006.01) B81C 1/00 (2006.01) G01F 1/56 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 一种MEMS半导体芯片及其制备方法 (57)摘要 本发明涉及半导体芯片技术领域，具体涉及 一种MEMS半导体芯片及其制备方法，包括：从下 往上依次包括第一材料层、第二材料层、第三材 料层和第四材料层，第三材料层的上表面设置有 金属电极和检测元件，所述金属电极与所述检测 元件电连接，第四材料层包裹所述金属电极和检 测元件；第四材料层的材料包括AlN。本发明通过 四层材料层，能有效的支撑起检测气体或检测液 体时的应力要求，延长MEMS半导体芯片使用寿 命，可有效的降低成本，第四材料层的材料包括 AlN ，第四材料层包裹所述金属