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PCT发明

具有降低的干扰的三维存储器器件编程

2023-06-07 12:16:45 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202180000130.3
  • 公开（公告）日：2024-04-16
  • 公开（公告）号：CN112771617A
  • 申请人：长江存储科技有限责任公司
摘要：一种3D存储器器件可以包括第一组存储器层、在第一组存储器层上方的第二组存储器层、以及在第一存储器层与第二存储器层之间的第一虚设存储器层。该3D存储器器件可以包括多个NAND存储器串，多个NAND存储器串均延伸穿过第一组存储器层、第二组存储器层和第一虚设存储器层。该3D存储器器件可以包括字线(WL)驱动电路，在对第一组存储器层中的一个进行编程时，该WL驱动电路可以被配置为在预充电周期期间，将第二预充电电压施加到第一虚设存储器层。第二预充电电压可以与第一预充电电压重叠，并且在第一预充电电压之前坡降。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112771617 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202180000130.3 (51)Int.Cl. G11C 16/04 (2006.01) (22)申请日 2021.01.04 G11C 16/08 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 G11C 16/10 (2006.01) 2021.02.03 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/CN2021/070087 2021.01.04 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司 地址 430074 湖北省武汉市东湖新技术开 发区未来三路88号 (72)发明人 宋雅丽　赵向南　闵园园　贾建权　 游开开　 (74)专利代理机构 北京永新同创知识产权代理 有限公司 11376 代理人 林锦辉 权利要求书6页 说明书19页 附图14页 (54)发明名称 具有降低的干扰的三维存储器器件编程 (57)摘要 一种3D存储器器件可以包括第一组存储器 层、在第一组存储

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