存储器阵列及存内计算电路2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117809701 A (43)申请公布日 2024.04.02 (21)申请号 202311662692.1 (22)申请日 2023.12.06 (71)申请人 北京大学 地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号 (72)发明人 王宗巍　王翠梅　蔡一茂　凌尧天　 (74)专利代理机构 北京鸿元知识产权代理有限 公司 11327 专利代理师 王迎　袁文婷 (51)Int.Cl. G11C 5/02 (2006.01) G11C 5/06 (2006.01) G11C 7/12 (2006.01) G11C 8/08 (2006.01) G11C 11/56 (2006.01) G11C 11/54 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 存储器阵列及存内计算电路 (57)摘要 本发明提供一种存储器阵列及存内计算电 路，其中的存储器阵列包括呈阵列分布的存储单 元，存储单元包括互补的第一存储结构和第二存 储结构；其中，第一存储结构包括第一晶体管以 及连接在第一晶体管的漏极上的第一存储器；第 二存储结构包括第二晶体管以及连接在第二晶 体管的漏极上的第二存储器；第一存储结构和第 二存储结构之间相互隔离，且第一存储结构和第 二存储结构呈中心对称。利用上述发明能够在晶 体管栅宽/栅长(W/L)较小的情况下，消除存储器 阵列非对称权重读