页缓冲器以及具有该页缓冲器的半导体存储器装置

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113851167 A (43)申请公布日 2021.12.28 (21)申请号 202110200138.6 (22)申请日 2021.02.23 (30)优先权数据 10-2020-0077974 2020.06.25 KR (71)申请人 爱思开海力士有限公司 地址 韩国京畿道 (72)发明人 朴康愚　 (74)专利代理机构 北京三友知识产权代理有限 公司 11127 代理人 刘久亮　黄纶伟 (51)Int.Cl. G11C 16/10 (2006.01) G11C 7/10 (2006.01) 权利要求书4页 说明书23页 附图16页 (54)发明名称 页缓冲器以及具有该页缓冲器的半导体存 储器装置 (57)摘要 本文可提供一种页缓冲器以及具有该页缓 冲器的半导体存储器装置。该页缓冲器可包括： 感测节点，其电位在数据感测操作期间基于流过 位线的电流量来控制，在数据传输操作期间基于 页缓冲器公共节点的电位来控制；以及主锁存器 组件，其被配置为基于感测节点的电位来锁存数 据，其中，主锁存器组件在数据传输操作期间根 据第一跳闸电压和感测节点的电位来锁存数据， 并且在数据感测操作期间根据第二跳闸电压和 感测节点的电位来锁存数据，第一跳闸电压和第 二跳闸电压不同。 A 7 6 1 1 5 8 3 1 1 N C CN 113851167 A 权　利　要