一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116820177 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310755535.9 (22)申请日 2023.06.25 (71)申请人 华南理工大学 地址 510641 广东省广州市天河区五山路 381号 (72)发明人 姚若河　陈志彤　耿魁伟　刘玉荣　 朱映彬　 (74)专利代理机构 广州嘉权专利商标事务所有 限公司 44205 专利代理师 郑宏谋 (51)Int.Cl. G05F 1/567 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 一种低温度系数CMOS基准电压源及芯片 (57)摘要 本发明公开了一种低温度系数CMOS基准电 压源及芯片，属于集成电路技术领域。其中基准 2 电压源包括：μ T 电流产生电路，用于产生一个 n 与μ V 2成正比的电流I ；基准电压输出电路， n TH 1 包括镜像单元和基准单元，所述镜像单元用于按 照预设比例复制电流I ，产生电流I 作用于基准 1 2 单元；所述基准单元包括NMOS管和PMOS管，其中 NMOS管的V 呈现为凹曲线，PMOS管的V 呈现凸 GS