非易失性存储器与其操作方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113160866 A (43)申请公布日 2021.07.23 (21)申请号 202010045577.X (22)申请日 2020.01.16 (30)优先权数据 16/736,029 2020.01.07 US (71)申请人 旺宏电子股份有限公司 地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16 号 (72)发明人 叶腾豪　吕函庭　刘逸青　 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 代理人 任岩 (51)Int.Cl. G11C 16/04 (2006.01) G11C 16/08 (2006.01) G11C 16/10 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图10页 (54)发明名称 非易失性存储器与其操作方法 (57)摘要 本发明公开了一种非易失性存储器与其操 作方法。非易失性存储器包含多个存储器单元串 列、多个位开关、存储器操作电路及多个源极开 关。这些位开关电性连接于这些存储器单元串 列。存储器操作电路电性连接于这些位开关，用 以传送写入信号至存储器单元串列。这些源极开 关电性连接于存储器单元串列，使得存储器单元 串列经由源极开关接收偏压信号。在写入阶段 中，当位开关中的第一位开关导通，使得第一存 储器单元串列通过第一位开关接收写入信号时， 电性连接于其他存储器单元串列的这些源极开 关将导通。 A