一种离子囚禁装置及离子阱系统2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117672590 A (43)申请公布日 2024.03.08 (21)申请号 202211067281.3 (22)申请日 2022.09.01 (71)申请人 华为技术有限公司 地址 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华 为总部办公楼 申请人 中国科学技术大学 (72)发明人 程序　林毅恒　杨江陵　杜江峰　 (74)专利代理机构 北京同达信恒知识产权代理 有限公司 11291 专利代理师 陈斌 (51)Int.Cl. G21K 1/087 (2006.01) G06N 10/40 (2022.01) 权利要求书2页 说明书15页 附图14页 (54)发明名称 一种离子囚禁装置及离子阱系统 (57)摘要 一种离子囚禁装置及离子阱系统，用于解决 现有技术中需要的射频电场的强度较大时需要 额外引入谐振腔来产生大的射频电压的问题。可 应用于量子计算或量子模拟等领域。离子囚禁装 置包括N个相向设置的第一电极，N为大于2的整 数，N个第一电极沿轴向不同位置的电极间距不 同，电极间距为第一电极与N个第一电极的中心 轴之间的距离，轴向为第一电极的延伸方向，中 心轴平行于轴向。由于沿轴向的电极间距不同， 可以提高η值，又由于射频电场的强度正比于因 子k ，k 正比于η ，因此，提高η值可以在较小 rf rf 的射频电压下产生的射频电场的强度较大。进一 A 步，沿轴向的电极间距不同还可以对囚禁的离子