一种基于应变调控的锗硅耦合量子阱电致折射率调制器

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116482881 A (43)申请公布日 2023.07.25 (21)申请号 202310400677.3 (22)申请日 2023.04.14 (71)申请人 华中科技大学 地址 430000 湖北省武汉市洪山区珞喻路 1037号 (72)发明人 孙军强　江佩璘　 (74)专利代理机构 武汉红观专利代理事务所 (普通合伙) 42247 专利代理师 陈凯 (51)Int.Cl. G02F 1/017 (2006.01) G02F 1/015 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图5页 (54)发明名称 一种基于应变调控的锗硅耦合量子阱电致 折射率调制器 (57)摘要 本发明提出了一种基于应变调控的锗硅耦 合量子阱电致折射率调制器，包括衬底层、缓冲 层、下隔离层、耦合量子阱区、上隔离层、盖帽层 和N电极，绝缘介质层、右侧P电极、左侧P电极，还 包括两个刻蚀窗口、脊形波导结构和悬空微桥结 构，其中，衬底层具有悬空区域；耦合量子阱区包 括多对五层耦合量子阱 ；两个刻蚀窗口对于脊形 波导结构呈轴对称分布，两个刻蚀窗口之间的缓 冲层、脊形波导结构、N电极、右侧P电极和左侧P 电极形成悬空微桥结构。综上，本发明能够将量 子阱区光吸收带边及电致折射率变化峰值移动 A 至主流光通信C波段处，同时实现更大的电致折 1 射率变化，使得电致折射率调制器调制效率更高 8 8 2 且更具有实用性。 8 4