一种相变存储器光刻工艺优化方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114721230 A (43)申请公布日 2022.07.08 (21)申请号 202210276000.9 (22)申请日 2022.03.21 (71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术 研究所 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号 (72)发明人 张家睿　周智全　钟旻　冯高明　 宋志棠　 (74)专利代理机构 上海泰博知识产权代理有限 公司 31451 专利代理师 钱文斌 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种相变存储器光刻工艺优化方法 (57)摘要 本发明涉及一种相变存储器光刻工艺优化 方法，包括：步骤(1)：当每片所述晶圆表面不平 整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器 的第一光刻工艺窗口；步骤(2)：当特定图形的周 期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存 储器的第二光刻工艺窗口，其中，所述特定图形 为晶圆上的电路图形；步骤(3)：取所述第一光刻 工艺窗口和第二光刻工艺窗口的重叠部分作为 最终共同工艺窗口，并将所述最终共同工艺窗口 的中心作为最佳曝光条件。本发明能够得到相变 存储器的最优光刻工艺窗口。 A 0 3 2 1 2 7 4 1 1 N C CN 114721230 A 权　利　要　求　书