一种闪存芯片的缺陷检测方法及系统
- 申请专利号:CN202111533669.3
- 公开(公告)日:2024-10-29
- 公开(公告)号:CN114220475A
- 申请人:珠海深圳清华大学研究院创新中心
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114220475 A (43)申请公布日 2022.03.22 (21)申请号 202111533669.3 (22)申请日 2021.12.15 (71)申请人 珠海深圳清华大学研究院创新中心 地址 519080 广东省珠海市唐家湾镇大学 路101号清华科技园3栋203 (72)发明人 杨柳 王志刚 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 鲁梅 (51)Int.Cl. G11C 29/56 (2006.01) 权利要求书2页 说明书12页 附图7页 (54)发明名称 一种闪存芯片的缺陷检测方法及系统 (57)摘要 本申请公开了一种闪存芯片的缺陷检测方 法及系统,按照在相同位线上依次选取不同字线 的方式进行扫描读取,对于任一条位线,如果该 位线上没有缺陷存储单元,则该位线的输出结果 为第一输出结果,只要该位线上有一个缺陷存储 单元,则该位线的输出结果就被锁定为第二输出 结果,可见,每条位线只需要输出一个输出结果, 而不必像现有技术那样,需要将所有的存储单元 的存储数据全部输出,因此,与现有技术相比,该 方法输出的数据量缩小了几个数量级,而且,每 一条位线的输出结果反映了该条位线中是否存 在缺陷存储单元,因此,该方法也无需像现有技 A 术那样再对输出数据进行缺陷地址分析,从而大 5 大提高闪存芯片中缺陷的检测速度,减少测试成 7 4 0 本。 2 2 4 1 1